复旦大学研发出全球首颗二维-硅基混合闪存芯片，攻克存储速率难题

近日，复旦大学传来喜讯，该校集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院的周鹏和刘春森教授团队成功研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。这一创新成果不仅攻克了存储速率的技术难题，更为我国在存储领域的发展注入了新的活力。相关研究成果已于8日在国际顶级学术期刊《自然》上发表，引起了广泛关注。

这标志着复旦大学在二维电子器件工程化进程中的又一重要进展，继成功研发“破晓(PoX)”皮秒闪存器件之后。

这一突破性成果将二维超快闪存技术与成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺实现了深度融合，成功解决了二维信息器件工程化过程中的关键难题。该成果的问世，标志着全球首颗二维—硅基混合架构闪存芯片的研发成功。业界专家普遍认为，这种新型芯片能够突破传统闪存在速度、功耗和集成度方面的平衡限制，未来在3D应用领域有望创造更大的市场机遇。这一创新成果不仅为我国半导体产业注入了新的活力，也为全球闪存技术的发展提供了新的思路和方向。